전력 반도체 시장의 판도가 바뀌고 있다. DB하이텍이 “고전압·고주파에서 뛰어난 GaN 공정”을 완성하며 전기차 충전기, AI 데이터센터 등의 수요에 대비한다.
서론: 왜 지금 GaN인가?
전력 소모를 줄이고 열과 주파수 부담을 견디는 반도체가 필요하다면, GaN(질화갈륨)이 답이다. 실리콘 기반 회로가 가진 제약을 넘어서도록 설계된 새로운 전력반도체 기술이 이제 출발선에 섰다.
본론
1. 개발 완료된 650V GaN E-Mode HEMT 공정
- DB하이텍은 “650V 전계모드 질화갈륨 고전자 이동도 트랜지스터(E-Mode GaN HEMT)” 공정 개발을 마무리함.
- 이 공정은 빠른 스위칭 속도와 높은 안정성 확보. 전기차 충전기, 데이터센터 전력변환 장치, 5G 통신 장비 등에서 적용 가능성이 큼.
- 2025년 10월 말부터는 고객용 시험생산용 멀티 프로젝트 웨이퍼(MPW) 제공 예정.
2. 생산능력 및 인프라 확장 전략
- 충북 음성 상우 캠퍼스의 클린룸을 확장 중. 8인치 웨이퍼 기준 월 **약 3만5천장** 증설 가능 규모.
- 증설 완료 후 생산량은 현재 약 **15만4천장**에서 약 **19만장**으로 약 23% 증가 예상.
- 이 클린룸에서 GaN 외에 SiC, BCDMOS 등의 화합물 반도체 제품도 생산될 계획.
3. 제품 라인업 & 미래 공정 계획
- 650V급 GaN 공정 외에 200V급 GaN 집적회로(IC) 공정 개발도 추진 중이며, 2026년 말까지 완성 목표
- 실리콘 기반 복합전압 소자(BCDMOS)의 기술력에 이어, GaN과 SiC 기술을 적용한 라인업 확장으로 전력반도체 경쟁 우위 확보.
FAQ: 자주 묻는 질문
- Q. GaN vs Si vs SiC, 어떤 차이가 있나요?
- A. 실리콘(Si)은 전압/온도/주파수 한계가 있음. SiC(실리콘카바이드)와 GaN은 고온/고주파/고전압 환경에서 효율이 좋고 손실이 적음. GaN은 특히 스위칭 속도가 빠르고 전력 변환 효율이 높은 특징이 있음.
- Q. MPW 시험생산은 뭘 뜻하나요?
- A. 멀티 프로젝트 웨이퍼(MPW)는 여러 고객 혹은 프로젝트용 회로를 한 웨이퍼에 함께 배치해 시험 생산하는 방식. 개발 리스크를 줄이고 초기 제품 인증 및 테스트가 가능함.
- Q. 전기차 충전소·AI센터 등에 도입되면 어떤 이점이 있나요?
- A. 충전기나 전력변환장치에서 손실이 작아 전력 소비가 줄며, 열 관리를 덜 해도 됨. 고주파 스위칭이 가능해 경량·소형화 설계 가능. 운영 안정성 증가.
- Q. 증설 공장이 언제부터 본격 가동하나요?
- A. 신규 클린룸 증설은 설계 및 내부 시설 공사 → 내년 말 완료 예정이며, 2026년 중 장비 설치 후 양산 가능성이 높음.
결론: DB하이텍이 그리는 전력반도체 미래
전력반도체는 전기차, AI 데이터센터, 5G 통신, 로봇 등 차세대 산업의 핵심. DB하이텍의 GaN 공정 확보와 생산 인프라 확장은 국내 파운드리 분야에서 경쟁 우위를 갖추려는 전략적 발걸음이다.
앞으로 해당 기술이 어느 정도 빠르게 시장에 적용될지, 고객사 확보 및 제품 수율이라는 실질적 성과가 중요할 것이다.
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